Contoh pungsi Transistor semikonduktor logam oksida

Contoh pungsi Transistor semikonduktor logam oksida Logam' Kata PADA Nama Yang sekarang digunakan sebenarnya merupakan Nama Yang salat KARENA Bahan Gerbang Yang dahulunya lapisan Logam-Oksida sekarang telah sering digantikan Artikel Baru lapisan polisilikon (polikristalin Silikon). Sebelumnya aluminium digunakan sebagai Bahan Gerbang Wire color Kawat warna PADA Tahun 1980-an ketika polisilikon MULAI dominan Artikel Baru kemampuannya untuk membentuk Gerbang menyesuai-Sendiri. Walaupun demikian, Gerbang Logam sekarang digunakan book value KARENA Sulit untuk meningkatkan kecepatan untuk Net transistor Tanpa Pintu Logam.

IGFET adalah peranti terkait di masa mendatang, istilah lebih Umum Yang berarti transistor EFEK-medan Gerbang-terisolasi, Dan hampir identik Artikel Baru MOSFET, meskipun dapat merujuk Ke * Semua Artikel Baru FET isolator Gerbang Yang Bukan Oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika merujuk PADA perangkat Artikel Baru Gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan Masih menyebutnya MOSFET.

Biasanya Bahan semikonduktor pilihan adalah Silikon , namun beberapa PRODUSEN IC , terutama IBM , MULAI menggunakan Campuran Silikon Dan germanium ( SiGe ) sebagai kanal MOSFET . Sayangnya , BANYAK Artikel Baru semikonduktor karakteristik Listrik Yang lebih BAIK daripada Silikon , seperti Galium arsenid ( GaAs ) , regular tidak membentuk Antarmuka semikonduktor -ke - isolator Yang BAIK sehingga regular tidak cocok untuk MOSFET . Hingga tangguhan Terus diadakan PENELITIAN untuk cara membuat isolator Yang dapat diterima Artikel Baru BAIK untuk Bahan semikonduktor TOTAL .

Untuk mengatasi peningkatan konsumsi Daya akibat kebocoran Arus Gerbang , dielektrik κ Tinggi menggantikan Silikon dioksida sebagai isolator Gerbang , Dan Gerbang Logam book value digunakan untuk menggantikan polisilikon [ 1 ] .

Gerbang dipisahkan Bahasa Dari kanal Diposkan oleh lapisan isolator Al Ustadz Yang secara tradisional asli adalah silikon dioksida , tetapi Yang lebih Maju menggunakan Teknologi silikon oxynitride . Beberapa PERUSAHAAN telah MULAI memperkenalkan Kombinasi dielektrik κ Tinggi + Gerbang Logam di Teknologi 45 nanometer .